CXD1196AR
2. SRAM接口
（ 1 ）阅读
MA14-MA0
曹
XMOE
TOEL
邵族
MDB7-MDB0
Tsdo
tHDO
项
地址设定的时间（相对于XMOE
↓)
地址保持时间（相对于XMOE
↑)
数据的设置时间（相对于XMOE
↑)
数据保持时间（相对于XMOE
↑)
低电平XMOE脉宽
符号
曹
邵族
Tsdo
tHDO
TOEL
分钟。
T
1
–30
T
1
–10
50 (100)
10 (20)
典型值。
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
2 • T
1
（ 2 ）写
MA14-MA0
Tsamw
XMWR
tmwl
Thamw
MDB7-MDB0
Tdmw
Tfmw
项
地址设定的时间（相对于XMWR
↓)
地址保持时间（相对于XMWR
↑)
数据延迟时间（相对于XMWR
↓)
数据时差（相对于XMWR
↑)
低电平XMWR脉宽
符号
Tsamw
Thamw
Tdmw
Tfmw
tmwl
分钟。
T
1
–30
T
1
–10
10
典型值。
马克斯。
0
2 • T
1
单位
ns
ns
ns
ns
ns
59纳秒： XSLOW = ' H'
238纳秒： XSLOW =“L”
需要注意的是XSLOW是位DRVIF寄存器的第7 。
当XSLOW =' H' ，请确保CXD1196AR连接到SRAM具有的访问时间
小于120纳秒。
当XSLOW =“L” ，确保CXD1196AR连接到SRAM，带有较少的访问时间
超过320纳秒。
T
1
=
—10—
{
SONY [ SONY CORPORATION ]
