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CXK581000AM-70SL 参数 Datasheet PDF下载

CXK581000AM-70SL图片预览
型号: CXK581000AM-70SL
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内容描述: 131072字×8位高速CMOS静态RAM [131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 290 K
品牌: SONY [ SONY CORPORATION ]
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CXK581000ATM/AYM/AM/AP
描述
该CXK581000ATM / AYM / AM / AP是高速
CMOS静态RAM组织为131072字经
8位。
多晶硅TFT电池技术实现了极低
由电流和更高的数据保持稳定站立─ 。
特殊特征是低功耗,高
速度和广泛的封装阵容。
该CXK581000ATM / AYM / AM / AP IA上合适
RAM的便携式设备与备用电池。
特点
快速存取时间:
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
-55LL/55SL
(访问时间)
55ns (最大)
CXK581000AM
32引脚SOP (塑胶)
CXK581000ATM
32引脚TSOP (塑胶)
-55LL/70LL/10LL
-55SL/70SL/10SL
131072-word
×
8位高速CMOS静态RAM
对于这款产品的供货情况,请联系销售办事处。
CXK581000AYM
32引脚TSOP (塑胶)
CXK581000AP
32引脚DIP (塑料)
-70LL/70SL
70ns的(最大)
-10LL/10SL
为100ns (最大值)。
低待机电流:
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
-55LL/70LL/10LL
20μA (最大值)。
-55SL/70SL/10SL
12μA (最大值)。
低数据保持电流
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
-55LL/70LL/10LL
12μA (最大值)。
-55SL/70SL/10SL
4μA (最大)
+ 5V单电源: + 5V ± 10 %
低电压数据保留: 2.0V (最小值)
广阔的封装阵容
CXK581000ATM/AYM
8mm
×
20毫米32引脚TSOP封装
CXK581000AM
525mil 32引脚SOP封装
CXK581000AP
600mil 32引脚DIP封装
框图
A10
A11
A9
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
V
CC
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
1024
×
1024
GND
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
OE
功能
131072-word
×
8位的静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
卜FF器
WE
I / O缓冲器
CE1
CE2
I / O 1
I / O 8
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E92756D53-PP