CXK591000TM/YM/M
-55LL/70LL/10LL
131,072-word
×
9位高速CMOS静态RAM
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描述
该CXK591000TM / YM / M是一款高速CMOS
静态RAM由9位组织为131,072字。
A
多晶硅
TFT
CELL
技术
实现
非常低的待机电流和更高的数据
保持稳定性。
特殊特征是低功耗和
高速。
该CXK591000TM / YM / M是一个合适的RAM，用于
便携式设备，电池备份和校验
位。
特点
•
快速访问时间
CXK591000TM/YM/M
（访问时间）
CXK591000M
32引脚SOP （ PIastic ）
CXK591000TM
32引脚TSOP （ PIastic ）
CXK591000YM
32引脚TSOP （ PIastic ）
•
•
•
•
•
-55LL
55ns （最大）
-70LL
70ns的（最大）
-10LL
为100ns （最大值）。
低待机电流
CXK591000TM/YM/M
-55LL/70LL/10LL
24μA （最大值）。
低数据保持电流
CXK591000TM/YM/M
-55LL/70LL/10LL
14μA （最大值）。
+ 5V单电源： 5V ±10 ％ 。
低电压保日期： 2.0V （最小值）
广阔的封装阵容
CXK591000TM/YM
8mm
×
20毫米32引脚TSOP封装
CXK591000M
525mil 32引脚SOP
包
框图
A10
A11
A9
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
1024
×
1152
V
CC
GND
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
WE
CE1
CE2
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
功能
131072字
×
9位静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
卜FF器
I / O缓冲器
I / O1 I / O9
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任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
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E93X06-PS
SONY [ SONY CORPORATION ]
