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CXK77B3611AGB-5 参数 Datasheet PDF下载

CXK77B3611AGB-5图片预览
型号: CXK77B3611AGB-5
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内容描述: 高速双CMOS同步静态RAM [High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器信息通信管理
文件页数/大小: 4 页 / 84 K
品牌: SONY [ SONY CORPORATION ]
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CXK77B3611AGB
-5/6
高速双CMOS同步静态RAM
描述
该CXK77B3611AGB - 5/6是一个高速1M位
BI -CMOS同步的组织为静态RAM
32768字由36位。该SRAM集成输入
寄存器,高速SRAM和写缓冲到
单片IC ,采用了延迟写入
系统,以减少死循环。
特点
快速的周期时间
CXK77B3611AGB-5
-6
(循环)
5ns
6ns
(频率)
200MHz
167MHz
初步
对于这款产品的供货情况,请联系销售办事处。
119引脚BGA (塑胶)
输入和输出都是GTL / HSTL兼容
受控阻抗驱动器
3.3V单电源供电: 3.3V ± 0.15V
字节写的可能
OE异步
JTAG测试电路
包装119TBGA
4种同步运转模式
寄存器 - 寄存器模式(R -R模式)
注册流量直通模式( R- F模式)
寄存器锁存模式( R- L模式)
双时钟模式(D -C模式)
功能
32768字X 36位高速双CMOS同步SRAM
结构
硅栅双CMOS IC
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
PE96812