DM-106B
磁阻元件
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描述
对DM- 106B是一个高度敏感的磁致
的蒸发组成电阻元件
在硅衬底上的铁磁性合金。 (本
元件可用于自动关闭的胶带
记录器,作为一个非接触开关,并且作为一般
检测旋转运动。 )
特点
•
低功耗
11毫瓦(典型值)。
V
CC
=5 V
•
低磁场和高灵敏度
80 MVP -P (典型值)。
V
CC
=5 V
H = 8000 / M
•
高可靠性
通过硅保障
氮化物保护拍摄
结构
上硅薄膜的镍 - 钴磁性合金
基板
绝对最大额定值
( TA = 25 ° C)
•
电源电压
•
工作温度
•
储存温度
V
CC
TOPR
TSTG
10
-40至+100
-50至+125
5
V
°C
°C
V
M-110
(塑胶)
推荐工作电源电压
电气特性
项
总阻值
中点电位
输出电压
符号
R
T
V
C
V
O
条件
VCC = 5 V , H = 8000 / M
Revoiving磁场
VCC = 5 V , H = 8000 / M
Revoiving磁场
VCC = 5 V , H = 8000 / M
Revoiving磁场
分钟。
1.4
2.45
60
典型值。
2.3
2.50
80
( TA = 25 ° C)
马克斯。
3.7
2.55
单位
kΩ
V
MVP -P
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E60142D5X-TE