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    S29GL512N11TFI010 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL512N11TFI010图片预览
    型号： S29GL512N11TFI010
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 100 页 / 2678 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL512N11TFI010的Datasheet PDF文件第5页浏览型号S29GL512N11TFI010的Datasheet PDF文件第6页浏览型号S29GL512N11TFI010的Datasheet PDF文件第7页浏览型号S29GL512N11TFI010的Datasheet PDF文件第8页浏览型号S29GL512N11TFI010的Datasheet PDF文件第10页浏览型号S29GL512N11TFI010的Datasheet PDF文件第11页浏览型号S29GL512N11TFI010的Datasheet PDF文件第12页浏览型号S29GL512N11TFI010的Datasheet PDF文件第13页  
    D a t a
    S h e e t
    Block Diagram
    V
    CC
    V
    SS
    V
    IO
    RESET#
    WE#
    WP#/ACC
    BYTE#
    RY/BY#
    Sector Switches
    Erase Voltage
    Generator
    DQ15
    –
    DQ0 (A-1)
    Input/Output
    Buffers
    State
    Control
    Command
    Register
    PGM Voltage
    Generator
    Chip Enable
    Output Enable
    Logic
    STB
    Data
    Latch
    CE#
    OE#
    STB
    V
    CC
    Detector
    Timer
    Address Latch
    Y-Decoder
    Y-Gating
    X-Decoder
    Cell Matrix
    A
    Max
    **–A0
    ** A
    Max
    GL512N = A24, A
    Max
    GL256N = A23, A
    Max
    GL128N = A22
    S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
    S29GL-N MirrorBit™ Flash Family
    7

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