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中文ê （E T）
概述
该Am29DL32xG系列包括32兆， 3.0
伏只快闪MEMOR Ÿ设备，组织成
每16位或4,194,304字节2,097,152字
每个8位。字模式数据显示在DQ15 - DQ0 ;
字节模式数据显示在DQ7 - DQ0 。该装置是
设计是在系统编程与标
准3.0伏V
CC
供应，并且也可以编程
在标准EPROM编程器。
该器件可为70时的访问时间，
90 ，或120纳秒。该器件采用48引脚TSOP提供，
48球和63球FBGA封装， 64 - ball加固BGA
包。标准控制引脚芯片使能（ CE ＃ ） ，
写使能（WE ＃ ） ，并且输出使能（OE ＃）， - 控制
正常的读写操作，并避免总线CON-
张力问题。
该设备只需要一
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
（通过AMD的ExpressFlash服务编程）
或两者。
DMS （数据管理软件）
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化，因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能，
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段（一个电话号码或
的配置数据，例如）时，用户只需要
到状态这一段数据要被更新，并
其中，在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtosystem swhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置，状态，逻辑到物理转换
数据到闪存装置（或存储器DE-
虎钳） ，等等。使用DMS ，用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是，用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件，以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过使用该设备
台站
状态位：
RY / BY ＃引脚， DQ7 （数据＃投票）和
DQ6 / DQ2 （触发位） 。编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置自动返回
为读模式。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克，或立刻键和Si-擦除一家银行，然后
从其他银行multaneously读，零
潜伏期。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该Am29DL32xG器件系列采用多个银行
架构提供灵活性，为不同的应用
系统蒸发散。三个器件都具有以下
银行尺寸：
设备
DL322
DL323
DL324
银行1
4
8
16
2银行
28
24
16
Am29DL32xG特点
该
安全硅行业
是一个额外的部门能够
被永久锁定，由AMD和客户。
该
安全硅标志位
（ DQ7 ）是perma-
nently设置为1，如果该部件是
工厂锁定，
和SET
到0，如果
客户可锁定。
这样一来，顾客锁相
能部件不能被用来代替一个工厂
锁定的一部分。
当前版本的设备有256个
字节，这不同于本先前版本
装置。
工厂锁定部分提供了几个选项。在硒
固化的硅扇区可存储一个安全的，随机的16
字节ESN （电子序列号） ，客户代码
2
Am29DL32xG
2006年25686B10 12月4日，
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