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概述
该Am29F004B是4兆， 5.0伏，只有闪存
设备组织为524,288字节。数据显示在
DQ0 - DQ7 。该器件采用32引脚PLCC封装。
此设备被设计成在系统编程用
标准体系5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不
需要编程或擦除操作。该还可以装置
在标准EPROM编程器进行编程。
该器件提供高达70纳秒的访问时间，使高
高速微处理器无需等待状态运行。对
消除总线争每台设备都有单独的芯片
使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）
控制。
只有每个设备都需要
单5.0伏电源
为
读取和写入功能。内部生成和规定
提供了编程和擦除电压迟来
操作。
该Am29F004B完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COMMANDS
使用标准微处理器的写入命令寄存器
处理器写时序。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和编程
明电路。写周期内部也锁存地址
和所需的编程数据和擦除操作。
读数据从装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式程序
算法的内部算法，可以自动倍
编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的
内部算法，可以自动preprograms阵列（如果它
是不是已经编程）执行擦除操作之前，
化。在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成后通过阅读DQ7 （数据＃查询） ，或
DQ6 （切换）
状态位。
经过编程或擦除周期
完成后，设备已准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程，而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。
该
硬件部门
保护功能显示
ABLES
两个方案和以任何组合的擦除操作
的内存部门。这可以在系统或通过实现
编程设备。
该
擦除挂起
功能使用户把擦除
持为任何时间段读取数据，或程序数据
到时，不选择擦除任何部门。真正的后台
地擦除可以由此来实现。
该器件提供了一个
待机模式
作为省电为特色的
真实存在。一旦系统使器件进入待机
模式下的功耗大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪存
制造经验，生产的最高水平
质量，可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云福勒擦除一个扇区内的所有位同时进行
Nordheim隧穿。的数据是使用热elec-编程
tron的注入。
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Am29F004B
Am29F004B_00_E4 2006年5月9日
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