Am29F010B
1兆位( 128千×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
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单电源工作
- 5.0 V± 10 %,持续读取,擦除和编程操作
- 简化系统级电源要求
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在0.32微米制程技术制造的
- 兼容Am29F010和Am29F010A
设备
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高性能
- 最大45 ns访问时间
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低功耗
- 19 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- & LT ; 1 μA典型待机电流
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灵活的部门架构
- 八16字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
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扇区保护
- 基于硬件的功能,禁用/重
使程序在任何擦除操作
行业组合
- 部门保护/解除保护可
使用标准的PROM实现
编程设备
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嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除芯片或任何
指定的部门组合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
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擦除挂起/恢复
- 从一个部门不支持读取数据
被擦除
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按最低保证百万次擦写
扇形
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20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
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封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
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兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
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数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
22336
启:
C
Amendment/1
发行日期:
2002年11月18日