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中文ê （E T）
AC特性
555计划
2AA擦除
PA方案
SA的扇区擦除
555芯片擦除
数据＃投票
PA
地址
t
WC
t
WH
WE＃
t
GHEL
OE ＃
t
CP
CE＃
t
WS
t
CPH
t
DS
t
DH
数据
A0方案
55擦除
PD的节目
30扇区擦除
10芯片擦除
t
AS
t
AH
t
WHWH1或2
DQ7#
D
OUT
注意事项：
1. PA =程序地址， PD =程序数据， SA =扇区地址， DQ7 ＃ =的数据输入补，D
OUT
=阵列的数据。
2.图表示命令序列的最后2个总线周期。
图13 。
备用CE＃控制的写操作时序
擦除和编程性能
范围
参数
芯片/扇区擦除时间
字节编程时间
芯片编程时间（注3 ）
典型值（注1 ）
1.0
7
0.9
最大值（注2）
15
300
6.25
单位
美国证券交易委员会
µs
美国证券交易委员会
评论
排除00H编程之前，
删除（注4 ）
不包括系统级的开销
（注5 ）
注意事项：
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件： 25
°
C， 5.0 V V
CC
， 100万次。另外，
编程标准结构假设棋盘图案。
为90℃ ，V 2，在最坏情况条件
CC
= 4.5 V （ 4.75 V为-45 ） ， 10万次。
3.典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多，因为大多数字节
程序比列出的最大字节编程时间快。如果给出的最大字节编程时间超过，才
没有将设备设置DQ5 = 1请参阅DQ5一节以获取更多信息。
4.在嵌入式擦除算法的预编程步骤，所有字节擦除之前为00h 。
5.系统级开销是执行4总线周期指令序列进行编程所需的时间。见表4
有关命令定义的详细信息。
6.该装置具有100万个周期的最小保证擦除周期耐力。
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Am29F010B
Am29F010B_00_C7 2006年10月31日
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