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概述
该Am29F010B是1兆位， 5.0伏，仅限于Flash
内存组织为131,072字节。该Am29F010B
32引脚PDIP ， PLCC和TSOP封装提供。
字节级的数据出现在DQ0 - DQ7 。 DE-的
副被设计成在系统编程用
标准体系5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不
需要编程或擦除操作。该设备可以
也可以通过编程或擦除标准EPROM
程序员。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术，并提供所有的功能和优点
在Am29F010和Am29F010A的。
该标准的设备提供的45 ， 55 ， 70的访问时间，
90和120纳秒，从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式亲
克
算法的一个内部算法，该算法
自动时间程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
该
硬件数据保护
措施包括：
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
化
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器中的扇区的任意组合，并且是im-
执行完成使用标准EPROM编程器。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
highestl前夕lsofquality ，可靠性， andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
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Am29F010B
Am29F010B_00_C7 2006年10月31日
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