擦除和编程性能
参数
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字节编程时间
Word程序时
加快字节/字编程时间
芯片编程时间
（注3）
字节模式
文字模式
典型值（注1 ）最大（注2 ）
0.7
50
9
11
7
36
24
300
360
210
108
72
15
单位
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
µs
µs
µs
美国证券交易委员会
评论
排除00H编程
擦除前（注4）
不包括系统级
开销（注5 ）
注意事项：
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件： 25 ℃， 3.0 VV
CC
，百万个周期。
此外，规划标准结构假设棋盘图案。
为90℃ ，V 2，在最坏情况条件
CC
= 2.7 V ，百万个周期。
3.典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多，因为
大多数字节的程序比列出的最高纲领倍的速度。
4.在嵌入式擦除算法的预编程的步骤，所有字节之前编程为00h
擦除。
5.系统级开销是执行的两个或四个总线周期序列的程序所需要的时间
命令。看
表14 ，第29页
有关命令定义的详细信息。
6.该器件具有100万次的最小擦除和编程周期耐力。
闭锁特性
描述
输入电压相对于V
SS
除了在I / O引脚的所有引脚
（包括A9 ， OE ＃和RESET ＃ ）
输入电压相对于V
SS
所有的I / O引脚
V
CC
当前
民
–1.0 V
–1.0 V
-100毫安
最大
12.5 V
V
CC
+ 1.0 V
100毫安
注意：
包括除V所有引脚
CC
。测试条件： V
CC
= 3.0V，一个销的时间。
TSOP和BGA封装电容
参数符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数说明
输入电容
输出电容
控制引脚电容
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
TSOP
细间距BGA
TSOP
细间距BGA
TSOP
细间距BGA
典型值
6
4.2
8.5
5.4
7.5
3.9
最大
7.5
5.0
12
6.5
9
4.7
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
注意事项：
1.采样，而不是100 ％测试。
2.测试条件牛逼
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫。
数据保留
参数说明
最小模式数据保存时间
测试条件
150°C
125°C
民
10
20
单位
岁月
岁月
50
Am29LV320D
2004年11月15日
SPANSION [ SPANSION ]
