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AM29LV640MH 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29LV640MH
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内容描述: 64兆位(4M ×16位/ 8的M× 8位)的MirrorBit 3.0伏特,只有统一部门快闪记忆体与VersatileI / O控制 [64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O Control]
分类和应用:
文件页数/大小: 62 页 / 1108 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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Am29LV640MH/L
64兆位(4M ×16位/ 8的M× 8位)的MirrorBit ™
3.0伏只统一部门快闪记忆体
与VersatileI / O ™控制
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计, S29GL064A取代Am29LV640M H / L ,是厂家推荐的迁移路径。
请参阅S29GL064A数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3 V读取,擦除和编程操作
VersatileI / O ™控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
在DQ输入/输出数据的输入电压
通过在V的电压来确定
IO
销;操作
从1.65到3.6 V
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128字/ 256字节扇区永久的,安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号,通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 一百28 32 K字/ 64 - Kbyte的部门
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存,以及优越的疏忽
写保护
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
性能特点
高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 22 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间: 16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字/字节更新
- 4字/ 8字节读取页面缓冲器
- 16字/ 32字节的写缓冲区
低功耗( 3.0 V典型值, 5
兆赫)
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
封装选项
- 56引脚TSOP
- 64 - ball加固BGA
软件特点
- 程序暂停&简历:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护:硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消: V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- WP # / ACC输入:
写保护输入端( WP # )保护第一个或最后一个扇区
不管扇区保护设置
ACC (高电压)加速编程时间
系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )表示程序或
擦除周期结束
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
26191
启:
F
Amendment/3
发行日期:
二○○五年十二月十四日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。