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    AM29LV640MH 参数 Datasheet PDF下载

    AM29LV640MH图片预览
    型号： AM29LV640MH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64兆位（4M ×16位/ 8的M× 8位）的MirrorBit 3.0伏特，只有统一部门快闪记忆体与VersatileI / O控制 [64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O Control]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 62 页 / 1108 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号AM29LV640MH的Datasheet PDF文件第52页浏览型号AM29LV640MH的Datasheet PDF文件第53页浏览型号AM29LV640MH的Datasheet PDF文件第54页浏览型号AM29LV640MH的Datasheet PDF文件第55页浏览型号AM29LV640MH的Datasheet PDF文件第57页浏览型号AM29LV640MH的Datasheet PDF文件第58页浏览型号AM29LV640MH的Datasheet PDF文件第59页浏览型号AM29LV640MH的Datasheet PDF文件第60页  
    D A T A中文ê （E T）
    AC特性
    备用CE ＃控制的擦除和编程操作
    参数
    JEDEC
    t
    AVAV
    t
    AVWL
    t
    ELAX
    t
    DVEH
    t
    EHDX
    t
    GHEL
    t
    WLEL
    t
    EHWH
    t
    ELEH
    t
    EHEL
    标准。
    t
    WC
    t
    AS
    t
    AH
    t
    DS
    t
    DH
    t
    GHEL
    t
    WS
    t
    WH
    t
    CP
    t
    CPH
    描述
    写周期时间（注1 ）
    地址建立时间
    地址保持时间
    数据建立时间
    数据保持时间
    阅读恢复时间之前写
    （ OE ＃高到我们＃低）
    WE＃建立时间
    WE＃保持时间
    CE＃脉冲宽度
    CE＃脉冲宽高
    写缓冲器程序操作（注2，注3 ）
    每字节
    有效的写缓冲器计划
    操作（注2,4）
    每字
    每字节
    加快有效写入缓冲区
    程序运行（注2,4）
    每字
    字节
    单字/字节编程
    操作（注2,5）
    字
    单字/字节加速
    字节
    编程操作（注2 ，
    字
    5)
    扇区擦除操作（注7 ）
    RESET ＃高时间写入前
    程序有效状态轮询之前（注7 ）
    速度选项
    101, 112, 120,
    90R 101R 112R 120R
    90
    100
    110
    120
    0
    45
    45
    0
    0
    0
    0
    45
    30
    352
    11
    22
    8.8
    17.6
    100
    100
    90
    90
    0.5
    50
    4
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    典型值
    典型值
    典型值
    典型值
    典型值
    典型值
    典型值
    典型值
    民
    最大
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    µs
    µs
    µs
    µs
    µs
    µs
    µs
    µs
    µs
    美国证券交易委员会
    ns
    µs
    t
    WHWH1
    t
    WHWH1
    t
    WHWH2
    t
    WHWH2
    t
    RH
    t
    调查
    注意事项：
    1.不100 ％测试。
    2.请参阅“擦除和编程性能”一节
    更多的信息。
    3.对于1-16字/编程1-32字节。
    4.有效的写缓冲器规范是基于一个
    16字/ 32字节的写缓冲区操作。
    5.字/字节编程规范是基于一个
    不利用单字/字节编程操作
    写缓冲器。
    6.上市规格的交流与V测试
    IO
    = V
    CC
    。联系
    AMD的交流操作v信息
    IO
    ≠
    V
    CC
    .
    7.当使用程序暂停/恢复功能，如果
    T内发出暂停命令
    调查
    , t
    调查
    必须充分
    重新应用时恢复编程操作。如果
    暂停命令吨后发表
    调查
    , t
    调查
    不
    在读状态位之前，再次需要
    恢复。
    54
    Am29LV640MH/L
    二○○五年十二月十四日

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