D A T A中文ê （E T）
概述
该Am29LV640MH / L是64兆比特，3.0伏单
电源闪存装置组织成
4,194,304字或8,388,608字节。该装置具有
一个8位/ 16位总线和可以在被编程
主机系统或标准EPROM编程器。
90 ，100， 110 ，或120纳秒的存取时间是可用的。
请注意，每个存取时间具有特定的操作
电压范围（Ⅴ
CC
）和一个I / O电压范围（Ⅴ
IO
），如
在特定网络版
产品选择指南
和
命令─
ING信息
部分。该器件采用一个
56引脚TSOP和64 - ball加固BGA封装。每
设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入，高电压
加速计划
（ ACC ）
功能可提供更短的编程时间
通过增加电流的WP ＃ / ACC输入。这
功能是为了便于工厂产能很好地协同
荷兰国际集团系统的生产，但也可以在使用
字段如果需要的话。
该设备完全指令集兼容
该
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时，主机系统只需要轮询
DQ7 （数据＃查询）或DQ6 （切换）
状态位
or
监控
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中，
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据，而不是四个。
该
VersatileI / O ™
(V
IO
）控制允许主机系
统设置的电压电平，该装置产生
和容忍的CE＃控制输入和DQ I / O来
被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
参阅
订购信息
部分有效V
IO
选项。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一个给定的擦除操作
扇区读取或写其他部门，然后
完成擦除操作。该
程序可持
挂起/恢复计划
功能可使主机系
统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作
阅读任何其他部门，然后完成程序
操作。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进度和复位器件，在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET ＃引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位，从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗，在
待机模式
它检测到特定的电压电平，当
在CE ＃和RESET ＃ ，或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
该
写保护（ WP ＃ ）
功能保护第一或
最后一个扇区通过产生一个逻辑低电平的WP ＃ / ACC
引脚。受保护的行业仍然会甚至保护
在加速编程。
该
SecSi ™ （安全硅）行业
提供
128个字/ 256字节的区域代码或数据，可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的，
该部门没有进一步的变化可能发生。
Spansion公司的MirrorBit闪存技术，结合多年的
快闪记忆体制造经验，生产
的质量，可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
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Am29LV640MH/L
二○○五年十二月十四日
SPANSION [ SPANSION ]
