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    MB84VD21194EM-70PBS 参数 Datasheet PDF下载

    MB84VD21194EM-70PBS图片预览
    型号： MB84VD21194EM-70PBS
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 堆叠MCP （多芯片封装）闪存和CMOS SRAM [Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM CMOS]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 52 页 / 862 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第9页  
    富士通半导体
    数据表
    DS05-50307-1E
    堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
    CMOS
    16M （ × 8 / × 16 ）Flash存储器&
    4M （ × 8 / × 16 ）静态RAM
    MB84VD2118XEM
    -70
    /MB84VD2119XEM
    -70
    s
    特点
    2.7 V至3.3 V •电源电压
    •
    高性能
    70 ns的最大访问时间（闪存）
    70 ns的最大访问时间（ SRAM ）
    •
    工作温度
    –40
    °
    C至+ 85
    °
    C
    •包56球FBGA
    （续）
    s
    产品线
    产品型号
    电源电压（ V）
    最大地址访问时间（纳秒）
    最大CE访问时间（纳秒）
    最大OE访问时间（纳秒）
    MB84VD2118XEM/MB84VD2119XEM
    V
    CC
    F * = 3.0 V
    70
    70
    30
    +0.3 V
    –0.3 V
    V
    CC
    S * = 3.0 V
    +0.3V
    –0.3 V
    70
    70
    35
    * ：两个V
    CC
    F且V
    CC
    s必须是在推荐的工作范围内时，被访问的任一部件。
    s
    包
    56球FBGA封装胶
    (BGA-56P-M02)

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