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MB84VD22184FM-70 参数 Datasheet PDF下载

MB84VD22184FM-70图片预览
型号: MB84VD22184FM-70
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内容描述: 32M ( X16 )闪存和4M ( X16 )静态RAM [32M (X16) FLASH MEMORY & 4M (X16) STATIC RAM]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 46 页 / 661 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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富士通半导体
数据表
DS05-50230-2E
堆叠MCP (多芯片封装)Flash存储器SRAM &
CMOS
32M ( × 16 )Flash存储器&
4M ( × 16 )静态RAM
MB84VD22184FM
-70
/MB84VD22194FM
-70
s
特点
•电源2.7 V电压为3.1 V
•高性能
70 ns的最大访问时间(闪存)
70 ns的最大访问时间( SRAM )
•工作温度
–30
°C
+85
°C
•包56球FBGA
(续)
s
产品阵容
产品型号
电源电压( V)
最大地址访问时间(纳秒)
最大CE访问时间(纳秒)
最大OE访问时间(纳秒)
V
CC
F = 3.0V
70
70
30
VD22184FM / VD22194FM
+0.1 V
–0.3 V
V
CC
S = 3.0V
70
70
35
+0.1 V
–0.3 V
注意:两个V
CC
F且V
CC
s必须是在推荐的工作范围内时,被访问的任一部件。
s
56球FBGA封装胶
(BGA-56P-M03)