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MBM29DL161BD-90PFTN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL161BD-90PFTN图片预览
型号: MBM29DL161BD-90PFTN
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内容描述: 闪存的CMOS 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 74 页 / 1090 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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富士通半导体
数据表
DS05-20874-7E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 )位
MBM29DL16XTD/BD
-70/90
s
特点
双操作
• 0.33
µm
工艺技术
•可同时读/写操作(双行)
可使用不同大小的银行多台设备(请参阅“ MBM29DL16XTD / BD设备银行分部表”
in
sGENERAL
说明)
主机系统可以编程或擦除一家银行,然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
•单3.0 V的读取,编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
(续)
s
产品阵容
产品型号
订货型号
V
CC
= 3.3 V
–0.3 V
+0.3 V
+0.6 V
MBM29DL16XTD/MBM29DL16XBD
70
70
70
30
90
90
90
35
V
CC
= 3.0 V
–0.3 V
最大地址访问时间(纳秒)
最大CE访问时间(纳秒)
最大OE访问时间(纳秒)
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( 1 )
侧面标
48引脚塑料TSOP ( 1 )
48球FBGA封装胶
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-48P-M13)