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MBM29DL163BD-90PFTN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL163BD-90PFTN图片预览
型号: MBM29DL163BD-90PFTN
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内容描述: 闪存的CMOS 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 74 页 / 1090 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29DL16XTD/BD
-70/90
MBM29DL163TD / BD部门组保护验证自选代码表
TYPE
制造商的代码
字节
MBM29DL163TD
设备
CODE
MBM29DL163BD
行业组保护
业集团
地址
V
IL
V
IH
V
IL
字节
BA *
3
A
19
到A
12
BA *
3
BA *
3
A
6
V
IL
V
IL
A
1
V
IL
V
IL
A
0
V
IL
V
IH
A
-1*1
V
IL
V
IL
X
V
IL
代码(十六进制)
04h
28h
2228h
2Bh
222Bh
01h
*2
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
*1 : A
−1
对于字节模式。在字节模式, DQ
8
到DQ
14
是高阻和DQ
15
−1
,最低地址。
* 2 :输出01H ,在受保护的部门组地址,并在无保护的部门组地址输出为00h 。
* 3 :当V
ID
加到A
9
,无论是银行1和银行2放入自选模式,这使得同步
要执行的操作无力。因此,指定的存储单元地址是不需要的。但是,银行
地址需要指出,当自动选择模式被读出指令模式,因为那时它使
激活的同时操作。
扩展自选代码表
TYPE
制造商代码
(B)*
MBM29DL163TD
设备
CODE
MBM29DL163BD
(W)的222BH 0
行业组保护
01h
A
-1
/0
CODE
04h
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
A
-1
/0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
28H一
-1
HI -Z高阻-Z高阻-Z高阻-Z
0
0
1
0
0
0
1
0
0
(W)的2228H 0
(B)*
2BH一
-1
HI -Z高阻-Z高阻-Z高阻-Z
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
*:在字节模式下, DQ
8
到DQ
14
是高阻和DQ
15
−1
,最低地址。
(B ) :字节模式
( W) :字模式
HI -Z :高阻
13