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    MBM29DL162TE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL162TE-70TN图片预览
    型号： MBM29DL162TE-70TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 闪存的CMOS 16M （ 2M ×8 / 1M ×16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 76 页 / 1048 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL162TE-70TN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBM29DL162TE-70TN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM29DL162TE-70TN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM29DL162TE-70TN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBM29DL162TE-70TN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBM29DL162TE-70TN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MBM29DL162TE-70TN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MBM29DL162TE-70TN的Datasheet PDF文件第9页  
    富士通半导体
    数据表
    DS05-20880-4E
    FL灰内存
    CMOS
    16M (2M
    ×
    8/1M
    ×
    16 ）位
    MBM29DL16XTE/BE
    70/90
    s
    特点
    双操作
    • 0.23
    µm
    工艺技术
    •可同时读/写操作（双行）
    可使用不同大小的银行多台设备
    （在参考“ MBM29DL16XTE / BE设备银行分部表”
    sGENERAL
    说明）
    主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
    读取和写入操作之间的零延迟
    同时读 - 擦除
    读而程序
    （续）
    s
    产品阵容
    产品型号
    地址访问时间（最大值）
    CE访问时间（最大值）
    OE访问时间（最大值）
    电源电压
    MBM29DL16XTE/BE70
    70纳秒
    70纳秒
    30纳秒
    3.0 V
    +0.6
    V
    −0.3
    V
    MBM29DL16XTE/BE90
    90纳秒
    90纳秒
    35纳秒
    s
    套餐
    48引脚塑料TSOP （ 1 ）
    侧面标
    48引脚塑料TSOP （ 1 ）
    48引脚塑料FBGA
    侧面标
    (FPT-48P-M19)
    (FPT-48P-M20)
    (BGA-48P-M11)

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