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MBM29DL163TE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL163TE-70TN图片预览
型号: MBM29DL163TE-70TN
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内容描述: 闪存的CMOS 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 76 页 / 1048 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29DL16XTE/BE
70/90
s
设备总线操作
MBM29DL16XTE / BE用户总线的运行表(字节= V
IH
)
手术
自动选择制造商代码*
1
自动选择设备代码*
1
阅读*
3
待机
输出禁用
写(编程/擦除)
启用类别组保护*
2,
*
4
验证类别组保护*
2,
*
4
临时机构集团* unprotection的
5
复位(硬件) /待机
引导块扇区写保护
图例:
L = V
IL
,H = V
IH
,X = V
IL
或V
IH
,
CE OE WE
L
L
L
H
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
X
X
X
H
X
X
X
H
H
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X
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L
A
0
L
H
A
0
X
X
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0
L
L
X
X
X
A
1
L
L
A
1
X
X
A
1
H
H
X
X
X
A
6
L
L
A
6
X
X
A
6
L
L
X
X
X
A
9
V
ID
V
ID
A
9
X
X
A
9
V
ID
V
ID
X
X
X
DQ
15
到DQ
0
RESET WP / ACC
CODE
CODE
D
OUT
高-Z
高-Z
D
IN
X
CODE
X
高-Z
X
H
H
H
H
H
H
H
H
V
ID
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
=脉冲输入。看
SDC
特性电压等级。
* 1 :制造商和设备代码通过一个命令寄存器写入顺序访问。请参阅“ MBM29DL16XTE /
BE命令定义表“ 。
* 2 :在参照“类别组保护”
sFUNCTIONAL
说明。
* 3 :我们可以将V
IL
如果OE为V
IL
, OE在V
IH
启动写操作。
*4: V
CC
=
+2.7
V到
+3.6
V
* 5 :也用于扩展类别组保护。
MBM29DL16XTE / BE用户总线的运行表(字节= V
IL
)
手术
自动选择制造商代码*
1
自动选择设备代码*
1
阅读*
3
待机
输出禁用
写(编程/擦除)
启用类别组保护*
2,
*
4
验证类别组保护*
2,
*
4
临时机构集团* unprotection的
5
复位(硬件) /待机
引导块扇区写保护
图例:
L = V
IL
,H = V
IH
,X = V
IL
或V
IH
,
CE
OE WE DQ
15
/
A
-1
A
0
A
1
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L
L
L
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X
X
X
L
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L
X
X
X
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L
L
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-1
X
X
A
-1
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L
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X
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0
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L
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A
1
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X
X
X
X
X
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X
X
X
L
X
X
X
=脉冲输入。看
SDC
特性电压等级。
* 1 :制造商和设备代码通过一个命令寄存器写入顺序访问。请参阅“ MBM29DL16XTE /
BE命令定义表“ 。
* 2 :在参照“类别组保护”
sFUNCTIONAL
说明。
* 3 :我们可以将V
IL
如果OE为V
IL
, OE在V
IH
启动写操作。
*4: V
CC
=
+2.7
V到
+3.6
V
* 5 :也用于扩展类别组保护。
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