富士通半导体
数据表
DS05-20881-7E
FL灰内存
CMOS
32 M (4 M
×
8/2 M
×
16 )位双操作
MBM29DL32XTE/BE
80/90
s
描述
该MBM29DL32XTE / BE是一个32位, 3.0 V-仅限Flash组织成4字节为8位存储器的每个或
2 Mwords的各16位。这些设备被设计成在系统编程与标准系统
3.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备还可以
重新编程的标准EPROM编程器。
MBM29DL32XTE / BE被组织成两家银行,银行1和银行2,这被认为是两个独立的
存储器阵列的操作。这是富士通的标准3 V仅闪存,具有附加功能
允许从所述阵列的非繁忙银行而嵌入的写一个正常的非延迟的读访问的(无论是
一个程序或擦除)操作时同时服用的其他银行的地方。
(续)
s
产品阵容
产品型号
电源电压V
CC
(V)
最大地址访问时间(纳秒)
最大CE访问时间(纳秒)
最大OE访问时间(纳秒)
MBM29DL32XTE/BE
80
3.3
+0.3
−0.3
90
3.0
+0.6
−0.3
80
80
30
90
90
35
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( 1 )
侧面标
48引脚塑料TSOP ( 1 )
63球FBGA封装胶
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-63P-M01)