富士通半导体
数据表
DS05-20876-3E
FL灰内存
CMOS
4 M（ 512K的
×
8 ）位
MBM29F004TC/004BC-
70/
-
90
s
描述
该MBM29F004TC / BC是4 M位， 5.0 V -仅限Flash组织成512千字节的每个8位的内存。该
MBM29F004TC / BC是在一个32引脚TSOP （ 1 ）和32引脚QFJ （ PLCC ）封装。本设备被设计
要被编程在系统的标准系统5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要写或
擦除操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
标准MBM29F004TC / BC提供70纳秒至90纳秒允许高速运行之间的存取时间
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29F004TC / BC是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从12.0 V Flash或EPROM器件读取。
（续）
s
产品阵容
产品型号
环境温度（
°C)
最大地址访问时间（纳秒）
V
CC
电源电压
手术
擦除/编程
电压消耗
（毫瓦）（最大） TTL待机模式
CMOS待机模式
最大CE接入（ NS ）
最大OE访问（ NS ）
70
30
MBM29F004TC/BC
-70
−20
to
+
70
70
5.0 V
±
10%
193
275
5.5
0.0275
90
35
-90
−40
to
+
85
90
SPANSION [ SPANSION ]
