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MBM29F016A-90PFTR 参数 Datasheet PDF下载

MBM29F016A-90PFTR图片预览
型号: MBM29F016A-90PFTR
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内容描述: 闪存的CMOS 16M ( 2M ×8 )位 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 43 页 / 470 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29F016A
-70/-90/-12
s
功能说明
读取模式
该MBM29F016A其中必须以在输出端获得的数据应满足的两个控制功能。 CE
是功率控制和应使用一个设备的选择。 OE为输出控制和应使用
栅数据到输出引脚,如果一个设备被选中。
地址访问时间(t
)等于从稳定地址延迟到有效输出数据。芯片使能
访问时间(吨
CE
)是从稳定的地址和稳定的CE到在输出引脚的有效数据的延迟。输出
允许访问时间,从操作环境的有效数据的下降沿延迟,输出引脚(假设
地址已经稳定至少吨
-t
OE
时间)。
待机模式
有两种方法来实现MBM29F016A设备在备用模式下,一个同时使用CE和
RESET引脚;其他仅通过RESET引脚。
当使用两个引脚,一个CMOS待机模式实现CE和RESET输入,无论是在V举行
CC
±0.3 V.
在这种状态下所消耗的电流小于5
µA.
一个TTL待机模式实现CE和
在V保持复位引脚
IH
。在这种状态下的电流减小到约为1mA 。在嵌入式
算法运算,V
CC
有源电流(I
CC2
)是必需的,即使CE = V
IH
。该装置可以读取与标准
访问时间(吨
CE
)从任一这些待机模式。
当仅使用RESET引脚,一个CMOS待机模式实现了与在V保持复位输入
SS
±0.3 V
(CE = “H”或“L”) 。在这种状态下所消耗的电流小于5
µA.
一个TTL待机模式实现
与RESET引脚保持在V
IL
(CE = “H”或“L”) 。在这种状态下所需的电流被减少到大约
1毫安。一旦RESET引脚为高电平时,设备需要500纳秒的唤醒时间前,输出有效
对于读访问。
在待机模式下的输出处于高阻抗状态,独立的OE输入的。
输出禁用
以在逻辑高电平的参考输入(Ⅴ
IH
) ,从设备输出被禁止。这将导致输出管脚
是在高阻抗状态。
自选
所述自动选择模式允许读出的从装置的二进制码,并将确定它的制造商
和类型。此模式适用于使用由编程设备用于自动匹配的目的
该设备与它的相应的编程算法来编程。此模式是官能以上的
整个温度范围内的装置。
以激活此模式中,编程设备必须迫使V
ID
( 11.5 V至12.5 V)在地址引脚上的
9
。两
标志字节然后可以从设备的输出通过切换地址A测序
0
从V
IL
到V
IH
。所有
地址不用管它除A
0
, A
1
和A
6
。 (请参阅“ MBM29F016A扇区保护验证自选代码
表“中的”灵活的扇区擦除架构“ 。 )
的制造商,设备代码,也可以通过指令寄存器读,对于情况下,当
MBM29F016A被擦除或在系统编程,无需获得高电压对A
9
引脚。命令
顺序是“灵活的扇区擦除说明” MBM29F016A命令定义表“ AR-
民族形式“ 。 (请参阅自动选择命令部分。 )
字节0 (A
0
= V
IL
)代表制造商代码(富士通= 04H )和字节1 (A
0
= V
IH
)代表设备
识别代码MBM29F016A = ADH 。这两个字节,在“ MBM29F016A部门给予保护
“在”灵活的扇区擦除建筑“验证自选代码表。所有标识符
生产和设备将展出奇校验与DQ
7
定义为奇偶校验位。为了读取正确
执行设备代码时自动选择,A
1
必须是V
IL
。 (请参阅“ MBM29F016A扇区保护验证
自选代码表“中”灵活的扇区擦除架构“ 。 )
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