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MBM29F016A-90PFTR 参数 Datasheet PDF下载

MBM29F016A-90PFTR图片预览
型号: MBM29F016A-90PFTR
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内容描述: 闪存的CMOS 16M ( 2M ×8 )位 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 43 页 / 470 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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富士通半导体
数据表
DS05-20844-5E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8 )位
MBM29F016A
-70/-90/-12
s
概述
该MBM29F016A是16 M位, 5.0 V -仅限Flash组织成2兆字节的每一个8位的内存。在2兆字节
的数据被分成32个扇区的64千字节为灵活的擦除能力。数据的8比特将出现在DQ
7
到DQ
0
。该MBM29F016A是在一个48引脚TSOP ( 1 )封装。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以重新编程,在标准EPROM编程器。
该标准MBM29F016A提供70纳秒到120纳秒让高速运转的访问时间
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能( CE ),写
使能(WE )和输出使能(OE )控制。
(续)
s
产品阵容
产品型号
订货型号
V
CC
= 5.0 V ±5%
V
CC
= 5.0 V ±10%
-70
70
70
40
MBM29F016A
-90
90
90
40
-12
120
120
50
最大地址访问时间(纳秒)
最大CE访问时间(纳秒)
最大OE访问时间(纳秒)
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( 1 )
侧面标
48引脚塑料TSOP ( 1 )
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)