MBM29F040C
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概述
该MBM29F040C是4M位， 5.0 V ，仅限于Flash组织成512K字节的每一个8位的内存。该
MBM29F040C是在一个32引脚PLCC和32引脚TSOP （ I）封装。此装置被设计成
在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除
操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
该标准MBM29F040C提供访问时间55 ns到90 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29F040C是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
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PROM中。命令写入
以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29F040C通过执行程序命令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以被编程，并在小于0.5秒验证。擦除是
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
任何个别扇区通常被擦除并在1秒内进行验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该部门模式允许内存64K字节的扇区
要擦除和重新编程，而不会影响其他部门。出厂时的MBM29F040C被删除
从工厂。
该器件具有用于读取和写入功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
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或者通过对DQ的触发位功能
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。一旦一个程序或擦除周期结束时已经完成，该装置
内部复位到读模式。
富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E
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PROM经验，生产的最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该MBM29F040C内存电擦除整个芯片或全部
通过福勒- Nordheim隧穿同时一个行业内的位。该字节编程一个字节
时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
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