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MBM29F400BC-90PFTN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29F400BC-90PFTN图片预览
型号: MBM29F400BC-90PFTN
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内容描述: FLASH存储器CMOS 4M ( 512K ×8 / 256K ×16 )位 [FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 48 页 / 541 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29F400TC
-55/-70-90
/MBM29F400BC
-55/-70-90
s
设备总线操作
MBM29F400TC / BC用户总线操作(字节= V
IH
)
手术
自动选择制造商代码*
1
自动选择设备代码*
1
阅读*
3
待机
输出禁用
使扇区保护*
2
验证扇区保护*
2
临时机构unprotection的
复位(硬件) /待机
图例:
L = V
IL
,H = V
IH
,X = V
IL
或V
IH
,
CE
L
L
L
H
L
L
L
L
X
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OE
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L
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X
H
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V
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15
to
DQ
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CODE
CODE
D
OUT
高-Z
高-Z
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IN
X
CODE
X
高-Z
RESET
H
H
H
H
H
H
H
H
V
ID
L
=脉冲输入。看
s
直流特性的电压等级。
* 1:生产商和设备的代码,也可以通过一个命令寄存器写入顺序访问。请参阅
在“ MBM29F400TC / BC命令定义”
sdevice
总线操作。
* 2:请在扇区保护的部分。
* 3 :我们可以将V
IL
如果OE为V
IL
, OE在V
IH
启动写操作。
MBM29F400TC / BC用户总线操作(字节= V
IL
)
手术
自动选择制造商代码*
1
自动选择设备代码*
1
阅读*
3
待机
输出禁用
使扇区保护*
2
验证扇区保护*
2
临时机构unprotection的
复位(硬件) /待机
图例:
L = V
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* 1:生产商和设备的代码,也可以通过一个命令寄存器写入顺序访问。请参阅
在“ MBM29F400TC / BC命令定义”
sdevice
总线操作。
* 2:请在扇区保护的部分。
* 3 :我们可以将V
IL
如果OE为V
IL
, OE在V
IH
启动写操作。
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