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MBM29F400TC-55PFTN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29F400TC-55PFTN图片预览
型号: MBM29F400TC-55PFTN
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内容描述: FLASH存储器CMOS 4M ( 512K ×8 / 256K ×16 )位 [FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 48 页 / 541 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29F400TC
-55/-70-90
/MBM29F400BC
-55/-70-90
MBM29F400TC / BC命令定义
命令
顺序
字节
字节
字节
字节
字节
字节
公共汽车
周期
职位月薪
第二
第一巴士
第三巴士公交第四第五巴士
第六巴士
公共汽车
读/写写周期写周期
写周期写周期写周期
周期
地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据
XXXH F0H
555h
AAAH
555h
AAAH
555h
AAAH
555h
AAAH
555h
AAAH
AAH
AAH
AAH
AAH
AAH
2AAh
555h
2AAh
555h
2AAh
555h
2AAh
555h
2AAh
555h
55h
55h
55h
55h
55h
555h
AAAH
555h
AAAH
555h
AAAH
555h
AAAH
555h
AAAH
F0h
90h
A0h
80h
80h
RA
PA
555h
AAAH
555h
AAAH
RD
PD
AAH
AAH
2AAh
555h
2AAh
555h
55h
55h
555h
AAAH
SA
10h
30h
读/复位
读/复位
自选
节目
芯片擦除
扇形
抹去
1
3
3
4
6
6
扇区擦除暂停
扇区擦除简历
删除可以在扇区擦除与地址( “H”或“L” )暂停。资料( B0H )
擦除后可以恢复暂停与地址(“H”或“L” ) 。数据( 30H )
注意事项:
地址比特的
15
到A
11
= X = “ H”或“L”的除外或程序地址( PA)的所有地址,命令和
扇区地址(SA)。
总线操作都在“ MBM29F400TC / BC用户总线操作(字节= V定义
IH
) “和
“ MBM29F400TC / BC用户总线操作(字节= V
IL
) “中的
sdevice
总线操作。
要读取的RA =地址的存储单元。
PA =地址的存储单元进行编程。地址被锁存的下降沿
在WE脉冲。
要擦除SA =地址的部门。 A的组合
17
, A
16
, A
15
, A
14
, A
13
和A
12
唯一选择任何行业。
在读操作期间从位置RA的读RD =数据。
PD =数据到位置PA进行编程。数据锁定在WE的上升沿。
该系统应生成以下地址模式:
字模式: 555H或2AAH到一个地址
10
到A
0
字节模式: AAAH或555H到地址一
10
到A
-1
两个读/复位命令在功能上是等效的,则设备复位到读模式。
在命令定义表中没有描述的命令组合是非法的。
8