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MBM29LV160B-90PFTN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29LV160B-90PFTN图片预览
型号: MBM29LV160B-90PFTN
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内容描述: 闪存的CMOS 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 58 页 / 735 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
s
设备总线操作
MBM29LV160T / B用户总线操作表(字节= V
IH
)
手术
自动选择制造码*
1
自动选择设备代码*
1
阅读*
3
待机
输出禁用
写(编程/擦除)
使扇区保护*
2,
*
4
验证扇区保护*
2,
*
4
临时机构* unprotection的
5
复位(硬件) /待机
图例:
L = V
IL
,H = V
IH
,X = V
IL
或V
IH
.
CE
L
L
L
H
L
L
L
L
X
X
OE
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
X
X
H
X
X
WE
H
H
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X
H
L
A
0
L
H
A
0
X
X
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0
L
L
X
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1
L
L
A
1
X
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A
1
H
H
X
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A
6
L
L
A
6
X
X
A
6
L
L
X
X
A
9
V
ID
V
ID
A
9
X
X
A
9
V
ID
V
ID
X
X
DQ
15
到DQ
0
RESET
CODE
CODE
D
OUT
高-Z
高-Z
D
IN
X
CODE
X
高-Z
H
H
H
H
H
H
H
H
V
ID
L
=脉冲输入。请参阅“ SDC特征”的电压等级。
* 1:生产商和设备的代码,也可以通过一个命令寄存器写入顺序访问。看
“ MBM29LV160T / B标准命令定义表” 。
* 2:请在扇区保护的部分。
* 3 :我们可以将V
IL
如果OE为V
IL
, OE在V
IH
启动写操作。
*4 : V
CC
= 3.3 V ±10%
* 5:它也被用于扩展扇区保护。
MBM29LV160T / B用户总线操作表(字节= V
IL
)
手术
自动选择制造码*
1
自动选择设备代码*
1
阅读*
3
待机
输出禁用
写(编程/擦除)
使扇区保护*
2,
*
4
验证扇区保护*
2,
*
4
临时机构* unprotection的
5
复位(硬件) /待机
图例:
L = V
IL
,H = V
IH
,X = V
IL
或V
IH
.
CE
L
L
L
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L
L
L
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X
X
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L
X
X
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X
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我们DQ
15
/A
-1
H
H
H
X
H
L
L
L
A
-1
X
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L
L
X
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L
H
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0
X
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L
X
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1
L
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1
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A
6
L
L
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9
V
ID
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A
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H
H
H
H
H
H
H
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V
ID
L
=脉冲输入。请参阅“ SDC特征”的电压等级。
* 1:生产商和设备的代码,也可以通过一个命令寄存器写入顺序访问。看
“ MBM29LV160T / B标准命令定义表” 。
* 2:请在扇区保护的部分。
* 3 :我们可以将V
IL
如果OE为V
IL
, OE在V
IH
启动写操作。
*4 : V
CC
= 3.3 V ±10%
* 5:它也被用于扩展扇区保护。
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