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MBM29LV400TC-90PF 参数 Datasheet PDF下载

MBM29LV400TC-90PF图片预览
型号: MBM29LV400TC-90PF
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内容描述: FLASH存储器CMOS 4M ( 512K ×8 / 256K ×16 )位 [FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 58 页 / 610 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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富士通半导体
数据表
DS05-20862-8E
FL灰内存
CMOS
4M ( 512K
×
8/256K
×
16 )位
MBM29LV400TC/BC
-55/70/90
s
特点
•单3.0 V的读取,编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
•兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
•兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP ( 1 ) (封装后缀: PFTN - 普通型弯, PFTR - 反弯型)
44引脚SOP (包后缀: PF )
48引脚南方东英(包后缀: PCV )
48球FBGA (包后缀: PBT )
48球SCSP (包后缀: PW )
•最低100,000编程/擦除周期
•高性能
55 ns的最大访问时间
•扇区擦除架构
一个8K字,二4K字,一是16K字,并在字模式7 32K字部门
一个16K字节, 2 8K字节,1字节32K ,七64K字节,字节的扇区模式
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
•启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
(续)
s
产品阵容
产品型号
电源电压(V)的
最大地址访问时间(纳秒)
最大CE访问时间(纳秒)
最大OE访问时间(纳秒)
MBM29LV400 TC / BC
-55
V
V
CC
= 3.3 V
+0.3 V
–0.3
-70
V
CC
= 3.0 V
70
70
30
+0.6 V
–0.3 V
-90
55
55
30
90
90
35