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MBM29PL64LM10PCN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29PL64LM10PCN图片预览
型号: MBM29PL64LM10PCN
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内容描述: 快闪记忆体64男( 8M ×8 / 4M ×16 )位 [Flash Memory 64 M (8M X 8/4M X 16) BIT]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 69 页 / 747 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29PL64LM
90/10
(续)
传说
:地址位A
21
到A
15
= X = “ H”或“L”的,除了程序地址的所有地址的命令( PA ) ,
扇区地址( SA )和部门组地址( SGA ) 。
总线操作都在“ MBM29PL64LM用户总线操作(字模式定义:字节= V
IH
)”
和“ MBM29PL64LM用户总线操作(字节模式:字节= V
IL
)”.
要读取的RA =地址的存储单元。
PA =地址的存储单元进行编程。地址被锁存的下降沿
写脉冲。
SA =地址的扇区进行编程/擦除。 A的组合
21
, A
20
, A
19
, A
18
, A
17
, A
16
,
AND A
15
将唯一选择任何行业。请参阅“扇区地址表( MBM29PL64LM ) ” 。
SGA =业集团地址被保护。请参阅“类别组地址表( MBM29PL64LM ) ” 。
在读操作期间从位置RA的读RD =数据。
PD =数据到位置PA进行编程。数据被锁存写入加的上升沿。
SD =部门组保护验证数据。输出01H在保护部门的组地址和输出
00H在未受保护的部门组地址。
WBL =写入缓冲器位置
HRA =地址HiddenROM面积;
字模式: 000000为000007h
字节模式: 000000至0000FFh
* 1 :在“ MBM29PL64LM标准命令定义”无法描述的命令组合
非法的。
* 2 :这两个复位命令是等价的,除了"Write到缓冲区Abort"复位。
* 3:擦除暂停和擦除继续命令仅在扇区擦除操作是有效的。
* 4 :前快速的程序命令的设置为快速模式下的命令是必需的。
* 5:从快速模式命令的复位要求,返回到读出模式时,该设备是在快速模式。
* 6 :复位到读模式。写入到缓冲器Abert复位命令后需要写入到缓冲器
操作被中止。
* 7 :该命令是有效的,而RESET = V
ID
.
* 8 :部门组地址( SGA )与
6
= 0, A
3
= 0, A
2
= 0, A
1
= 1 ,且A
0
= 0
* 9 :有效的地址是A
6
到A
0
.
* 10 :前HiddenROM编程的HiddenROM进入命令是必需的。
* 11 :该命令有效期间HiddenROM模式。
* 12 :数据“单元F0h ”是可以接受的。
* 13 :表示读周期。
11