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型号: S29AL008D90BAI023
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内容描述: 8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存 [8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 55 页 / 1519 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A
中文ê (E T)
概述
该S29AL008D是组织为1,048,576 8兆, 3.0伏,只有闪存
字节或524,288字。该器件采用48球FBGA封装, 44引脚SO和
48引脚TSOP封装。欲了解更多信息,请参阅出版物号21536 。
字级数据( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;该字节宽的(x8 )数据AP-
梨在DQ7 - DQ0 。这个设备只需要一个单一的, 3.0伏V
CC
供应
执行读取,编程和擦除操作。标准EPROM编程器
也可用于编程和擦除设备。
该器件采用Spansion公司的200纳米工艺技术制造,并OF-
FERS所有功能和AM29LV800B ,其制造的好处
采用0.32微米制程技术。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,和120纳秒,使高
高速微处理器无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备包含单独的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
用于读取和写入
功能。内部产生的并提供了用于亲稳压电压
克和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单加电
供应闪光的标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到IN-
ternal状态机控制的擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和
擦除操作。读数据从装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序指令序列。这
启动
嵌入式程序
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。该
解锁绕道
模式,要求只有两个有利于更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备擦除时通过执行擦除命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms数组(如果它尚未编程)在执行前
擦除操作。在擦除,设备会自动倍擦除脉冲
宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成了
观察RY / BY #引脚,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6 (瓶酒
GLE )
状态位。
后一个程序或擦除周期完成时,设备准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许存储扇区被擦除和重现
编程,而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器automat-
ically在电源转换禁止写操作。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个程序在任何组合擦除操作
化的内存部门。这可以在系统或通过实现
编程设备。
2005年6月16日S29AL008D_00A3
S29AL008D
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