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概述
该S29AL016D是组织为2,097,152 16兆， 3.0伏只闪存
字节或1,048,576字。该器件采用48球FBGA封装提供，而48引脚TSOP
包。字级数据（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的（x8）
数据显示在DQ7 - DQ0 。此装置被设计在系统被编程
与标准体系3.0伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0 V
CC
不
在用于写或擦除操作。该设备也可以在编程
标准EPROM编程器。
该器件提供70 ns的访问时间和90 ns的允许高速微处理器的
处理机无需等待状态运行。为了消除总线争用的设备已经
独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）
控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
用于读取和写入
功能。内部产生的并提供了用于亲稳压电压
克和擦除操作。
该S29AL016D完全指令集的兼容
JEDEC单
电源闪存标准。
命令被写入命令寄存器
用之三标准微处理器写时序。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，用于控制擦除和编程电路。
写周期也在内部锁存器所需的编程地址和数据
和擦除操作。读数据从装置的类似于读取从
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序指令序列。这
启动
嵌入式程序
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。该
解锁绕道
模式，要求只有两个有利于更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备擦除时通过执行擦除命令序列。这将启动
该
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
执行擦除之前方案的阵列（如果它尚未被编程）
操作。在擦除，设备会自动倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成了
观察RY / BY ＃引脚，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （瓶酒
GLE ）
状态位。
后一个程序或擦除周期已经完成，该装置
准备读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区被擦除和重现
编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器automat-
ically在电源转换禁止写操作。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个程序在任何组合擦除操作
化的内存部门。这可以在系统或通过实现
编程设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使用户把擦除
持为任何时间段读取数据，或程序数据，任何扇区这
不选择删除。真实背景擦除因此可以实现。
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S29AL016D
S29AL016D_00_A2 2004年12月17日
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