S29AL016D
16兆位（2M ×8位/ 1的M× 16位）
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
数据表
初步
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 〜3.6伏读写OP-
操作于电池供电的应用
超低功耗（典型值
在5 MHz ）
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 9毫安读出电流
- 20毫安编程/擦除电流
在200纳米制程技术制造的
- 与0.23微米Am29LV160D完全兼容，
MBM29LV160E设备
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而第三十
1 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，而第三十
1个32 K字部门（字模式）
自行车耐力：每百万次
典型的行业
数据保存：20年典型
封装选项
48球FBGA
48针TSOP
44引脚SOP
扇区保护功能
- 锁定一个部门的硬件方法，以防止任何
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或通过编程
设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
软件特点
CFI （通用闪存接口）兼容
- 提供特定于设备的信息提供给系统，
使主机软件轻松进行重新配置
不同的闪存器件
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被擦除扇区，
然后恢复擦除操作
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
硬件特性
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
公开号
S29AL016D_00
调整
A
修订
2
发行日期
2004年12月17日
SPANSION [ SPANSION ]
