D A T A
中文ê （E T）
DC特性
CMOS兼容
参数
I
LI
I
点亮
I
LR
描述
输入负载电流
A9输入负载电流
RESET漏电流
输出漏电流
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
CC
= V
CC MAX
; RESET＃ = 12.5 V
民
典型值
最大
±1.0
35
35
±1.0
单位
µA
µA
µA
I
LO
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
10兆赫
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH ，
字节模式
5兆赫
1兆赫
35
15
2.5
35
15
2.5
40
0.4
0.8
0.4
-0.5
0.7 V
CC
V
CC
= 3.3 V
I
OL
= 4.0毫安， V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= V
CC分钟
0.85× V
CC
V
CC
–0.4
2.3
11.5
µA
50
20
10
50
20
10
60
5
5
5
0.6
V
CC
+ 0.5
12.5
0.45
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
mA
I
CC1
V
CC
读操作工作电流
（注1,2 ）
10兆赫
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH ，
文字模式
5兆赫
1兆赫
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
V
CC
主动写电流
（注2，3， 5）
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
V
CC
待机电流（注2,4） CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
±
0.3 V
V
CC
待机电流在复位
RESET ＃ = V
SS
±
0.3 V
（注2,4）
自动休眠模式
（注2，4， 6）
输入低电压（注6,7）
输入高电压（注6,7）
电压自动选择和
临时机构撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压（注4 ）
V
IH
= V
CC
±
0.3 V;
-0.1 < V
IL
≤
0.3 V
2.5
V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
。典型的V
CC
为3.0 V.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CC
马克斯。
3. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
4.在扩展级温度范围（ > + 85°C ） ，典型电流为5 μA和最大电流为10 μA 。
5.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。
6.未经100％测试。
7. V
CC
电压要求。
二〇〇六年十月十一日S29AL016M_00_A7
S29AL016M
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SPANSION [ SPANSION ]
