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概述
该S29AL032D是一个32兆位， 3.0伏只快闪存储器装置，组织为2097152
也就是说，每行16位或4,194,304字节，每字节8位。字模式数据显示在DQ0 - DQ15 ;
字节模式数据显示在DQ0 - DQ7 。该设备被设计成在系统编程用
标准的3.0伏的VCC电源，并且也可以在标准EPROM编程器编程。
该器件的存取时间快70纳秒。该器件采用40引脚TSOP提供，
48引脚TSOP和48球FBGA封装。标准控制插脚式芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ） - 控制正常的读写操作，并避免总线CON-
张力问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
用于读取和写入功能。在 -
内部产生的并提供了用于亲克稳压电压和擦除操作。
S29AL032D特点
该
安全硅行业
是一个额外的机构能够被永久锁定由Spansion公司
或客户。该
安全硅标志位
（ DQ7 ）被永久设置为1 ，如果部分是
工厂锁定，
并设置为0，如果客户上锁。通过这种方式，客户可锁定部分可以永远
用来代替一个工厂锁定部分。
需要注意的是S29AL032D有一个安全硅
128个字（256字节）的扇区大小。
工厂锁定部分提供了几个选项。担保硅业可存储安全，随机
DOM 16字节的ESN （电子序列号） ，客户代码（通过编程Spansion公司
节目服务） ，或两者兼而有之。
该S29AL032D完全指令集的兼容
JEDEC单电源
闪存标准。
命令使用标准微处理器写入到命令寄存器
写时序。寄存器的内容作为输入到一个内部状态机，用于控制
擦除和编程电路。写周期内部也需要锁存地址和数据
编程和擦除操作。读数据从装置的类似于读取从
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序命令序列。这将启动
的EM
层状计划
算法的内部算法，可以自动倍的编程脉冲
宽度和验证适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式有利于更快的编程
次只需要两个写周期编程数据，而不是四个。
设备擦除时通过执行擦除命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的内部算法，可以自动preprograms阵列（如果它不是AL-
准备程序）执行擦除操作之前。在擦除，设备会自动
次擦除脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成时，通过观察
RY / BY ＃引脚，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （切换）
状态位。
亲后
克或擦除周期已完成，设备已准备好读取阵列数据或接受其它
命令。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程，而不
影响到其他部门的数据内容。从运时，该设备被完全擦除
工厂。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。该
硬件部门保护
功能禁用这两个
程序并在存储器中的扇区的任意组合擦除操作。这可以实现
在系统或通过编程设备。
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S29AL032D
2005年S29AL032D_00_A3 6月13日，
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