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S29GL064A10FAIR20 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064A10FAIR20图片预览
型号: S29GL064A10FAIR20
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内容描述: 64兆, 32兆, 16兆3.0伏只页面模式闪存设有200纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 95 页 / 3604 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S熙吨
概述
该S29GL -A系列器件是采用200纳米制造的3.0伏单电源闪存
MirrorBit技术。该S29GL064A是组织为4194304词语或8388608字节的64 Mb的设备。
该S29GL032A是组织为2,097,152字或4,194,304字节32 Mb的设备。该S29Gl016A是
16 -MB的设备组织为1,048,576字或2,097,152字节。根据不同的型号,
器件具有一个8位宽的数据总线仅仅只, 16位宽的数据总线,或者一个16位宽的数据总线,它也可以
功能通过使用字节#输入一个8位宽的数据总线。该设备可以被编程或者在
主机系统或标准EPROM编程器。
存取时间快90纳秒可用。请注意,每个存取时间具有特定的工作电压
范围(V
CC
),为在指定的
包装的产品包括48引脚TSOP , 56引脚TSOP , 48球细间距BGA和64 - ball加固BGA ,
根据型号。每台设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
启用( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
用于读取和写入功能。除了一
V
CC
输入,高电压
加速计划( ACC )
功能通过提供更短的编程时间
增加当前的WP # / ACC输入。此功能是为了便于在工厂产量
系统的生产,但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令被写入到使用标准的微处理器写时序的设备。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。从工厂发货时,该设备被完全擦除。
器件编程和擦除是通过命令序列启动。一旦编程或擦除
操作开始时,主机系统只需要轮询DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)
状态位
or
监控
就绪/忙# ( RY / BY # )
输出,以确定操作是否已经完成。为了方便
节目中,
解锁绕道
模式,要求只有两个写降低命令序列开销
循环编程数据,而不是四个。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。硬件扇区保护功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器扇区的任意组合。这可以在系统内或通过编程设备来实现。
擦除暂停/删除恢复
功能允许主机系统暂停在一个给定的擦除操作
扇区读取或写其他部门,然后完成擦除操作。该
程序暂停/
节目简历
功能允许主机系统暂停程序运行在给定的扇区读
其他任何部门,然后完成程序操作。
硬件RESET #引脚
终止任何正在进行的动作和复位装置,在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET #引脚可以连接到系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位,使主机系统可以从闪存器件读取引导固件。
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压水平对CE#当
和RESET # ,或当地址是稳定为指定的时间周期。
写保护( WP # )
功能通过产生一个逻辑低电平的WP # / ACC引脚保护第一或最后一个扇区
或WP #引脚,取决于型号。在加快保障部门仍然受到保护,即使
编程。
安全硅行业
提供了一个128字/ 256字节的区域代码或数据,可以是永久
受保护的。一旦该扇区被保护,该扇区内的任何进一步的变化可以发生。
Spansion公司的MirrorBit闪存技术,结合多年的闪存制造经验,生产
最高级别的质量,可靠性和成本效益。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。的数据是使用热电子注入编程。
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S29GL-A
S29GL - A_00_A11 2007年9月10日