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S29GL512P12FFIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL512P12FFIV10图片预览
型号: S29GL512P12FFIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 71 页 / 1568 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S熙吨
( ADVA NCE
在对M通报BULLETIN )
图11.7
复位时序
RY / BY #
CE # , OE #
t
RH
RESET#
t
RP
t
准备
复位时序不是在嵌入式算法
在嵌入式算法复位时序
t
准备
RY / BY #
t
RB
CE # , OE #
RESET#
t
RP
CE # , OE #和WE #必须在逻辑在复位期间高。
表11.5
上电排序计时
参数
t
VCS
t
VIOS
t
RH
笔记
1. V
IO
& LT ; V
CC
+ 200毫伏。
2. V
IO
和V
CC
斜坡必须在上电期间被synchornized 。
3.如果RESET #是不是稳定吨
VCS
或T
VIOS
:
该设备不允许任何读写操作。
一个有效的读操作返回FFH 。
硬件复位是必需的。
4. V
CC
最大电电流(RST = V
IL
)为20毫安。
描述
复位低电平时间从V的上升沿
CC
(或最后一个复位脉冲)到
的RESET #上升沿
复位低电平时间从V的上升沿
IO
(或最后一个复位脉冲)到
的RESET #上升沿
复位高时间之前读
最大
速度
35
35
200
单位
µs
µs
ns
2006年11月21日S29GL - P_00_A3
S29GL -P的MirrorBit
TM
快闪族
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