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S29GL256P11FAI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL256P11FAI020图片预览
型号: S29GL256P11FAI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 71 页 / 1568 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S29GL -P的MirrorBit
TM
快闪族
S29GL01GP , S29GL512P , S29GL256P , S29GL128P
1千兆, 512兆, 256兆和128兆
3.0伏只页面模式闪存特色
90纳米的MirrorBit工艺技术
数据表
(高级信息)
概述
Spansion公司S29GL01G /二百五十六分之五百一十二/ 128P是制造90纳米工艺技术的MirrorBit ™闪存产品。这些
器件提供25 ns的快速页面存取时间为110 ns的相应随机存取时间。它们的特点是写缓冲器
允许最多32个字/ 64字节到在一个操作中被编程,从而导致更快的有效编程时间
比标准的编程算法。这使得这些器件非常适用于当今的嵌入式应用需要更高
密度,更好的性能和更低的功耗。
特色鲜明
单3V读/编程/擦除( 2.7-3.6 V)
增强VersatileI / O ™控制
- 所有的输入电平(地址,控制和DQ的输入电平)和输出
通过电压V确定
IO
输入。 V
IO
范围为1.65至V
CC
提供套餐
- 56引脚TSOP
- 64 - ball加固BGA
90纳米的MirrorBit工艺技术
8字/ 16字节的页面读取缓冲区
32字/ 64字节的写缓冲降低了总体规划
时间多字的更新
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久,安全识别
通过一个8字/ 16字节的随机电子序列号
- 可以编程并锁定在工厂或由客户
暂停和恢复的编程和擦除命令
操作
写操作状态位指示编程和擦除
操作完成
解锁绕道程序命令,以减少编程
时间
支持CFI (通用闪存接口)
高级行业持续和密码的方法
保护
WP # / ACC输入
- 加速编程时间(当V
应用)更大
系统在生产过程中产量
- 保护的部门保护设置第一个或最后一个扇区不管
统一64Kword / 128K字节,部门架构
S29GL01GP :千24部门
S29GL512P :五百强12部门
S29GL256P :200名56部门
S29GL128P :一百28部门
硬件复位输入( RESET # )复位装置
就绪/忙#输出( RY / BY # )检测编程或擦除
周期结束
每个部门的典型100,000次擦除周期
20年的数据保存典型
性能特点
马克斯。读取访问时间(纳秒) *
512/256/128 Mb的**
参数
随机存取时间(叔
)
页面访问时间(t
PACC
)
CE#访问时间(t
CE
)
OE #访问时间(t
OE
)
V1
100
25
110
25
V2
110
25
110
25
V3
120
25
120
30
V1
110
25
110
25
1 GB
V2
120
25
120
25
V3
130
25
130
30
节目&擦除时间(典型值)
单字编程
有效的写缓冲器编程(V
CC
)每字
有效的写缓冲器编程(V
)每字
扇区擦除时间( 64千字部门)
60 µs
15 µs
15 µs
0.5 s
电流消耗(典型值)
随机访问读
8字的页面阅读
编程/擦除
待机
30毫安
1毫安
50毫安
1 µA
*访问时间取决于V
CC
和V
IO
工作范围。
SEE
页面了解更多详情。
V1: V
CC
= 3.0–3.6 V. V2: V
CC
= V
IO
= 2.7–3.6 V.
V3: V
IO
= 1.65–V
CC
, V
CC
= 3 V.
**联系销售代表的可用性。
公开号
S29GL-P_00
调整
A
修订
3
发行日期
2006年11月21日
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