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S29GL128P11TFI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P11TFI020图片预览
型号: S29GL128P11TFI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 71 页 / 1568 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S熙吨
( ADVA NCE
在对M通报BULLETIN )
表11.1
测试规范
测试条件
输出负载
输出负载电容,C
L
(包括夹具电容)
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
输入定时测量参考电平(见注)
输出时序测量参考电平
如果V
IO
& LT ; V
CC
中,参考电平是0.5伏
IO
.
所有速度
1 TTL门
30
5
0.0–V
IO
0.5V
IO
0.5 V
IO
单位
pF
ns
V
V
V
11.4
关键开关波形
波形
输入
稳定
改变从H到L
改变以L至H
不关心,任何允许更改
不适用
改变,状态未知
中心线为高阻抗状态(高阻)
输出
11.5
开关波形
图11.4
输入波形和测量水平
V
IO
0.0 V
输入
0.5 V
IO
测量级别
0.5 V
IO
V
产量
如果V
IO
& LT ; V
CC
时,输入的测量的参考电平为0.5V
IO
.
2006年11月21日S29GL - P_00_A3
S29GL -P的MirrorBit
TM
快闪族
49