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中文ê （E T）
概述
该S29GL256 / 128 / 064 / 032M系列器件是3.0 V单电源闪存制造
捕获的原始图像采用0.23微米的MirrorBit技术。该S29GL256M是256 †兆位，组织为16777216
字或33554432个字节。该S29GL128M是128兆，组织为8,388,608字或
16777216字节。该S29GL064M是64兆比特，作为组织4,194,304字或8,388,608字节。
该S29GL032M是32兆，组织成2,097,152字或4,194,304字节。根据不同的
型号，该设备具有一个8位宽的数据总线仅仅只， 16位宽的数据总线，或者一个16位
宽数据总线，也可以通过使用字节＃输入充当一个8位宽的数据总线。该器件
无论是在主机系统或在标准EPROM编程器进行编程。
存取时间快90纳秒（ S29GL128M ， S29GL064M ， S29GL032M ）或100纳秒（ S29GL256M ）是
可用。请注意，每个存取时间具有特定的工作电压范围（Ⅴ
CC
）中所指定
和
订购信息
段起于
套餐优惠 -
英格斯包括40引脚TSOP ，48引脚TSOP ， 56引脚TSOP ， 48球细间距BGA ， 63球精细间距BGA
和64 ball加固BGA封装，这取决于型号。每个设备都有独立的芯片使能
（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
用于读取和写入功能。在
除了为V
CC
输入，高电压
加速计划（ ACC ）
功能提供了更短的亲
通过对WP ＃ / ACC输入电流增加编程时间。该功能的目的是
促进工厂生产能力系统在生产过程中，但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入到使用标准的微处理器写时序的设备。写周期
还在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程，而不
影响到其他部门的数据内容。从运时，该设备被完全擦除
工厂。
器件编程和擦除是通过命令序列启动。一旦一个程序或
擦除操作开始时，主机系统只需要轮询DQ7 （数据＃查询）或DQ6 （切换）
台站
状态位
或监控
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
输出，以确定该操作是否是
完整的。为了方便用户进行编程，一个
解锁绕道
模式减少指令序列的过
头部只需要两个写周期编程数据，而不是四个。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。硬件扇区保护功能禁用这两个节目
和擦除操作中的存储器扇区的任意组合。这可以在系统来实现，或
通过编程设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能允许主机系统暂停擦除操作
在给定扇区读取或写其他部门，然后完成擦除操作。该
程序挂起/恢复计划
功能使主机系统暂停程序OP-
关合作在给定扇区读取任何其他部门，然后完成程序操作。
该
硬件RESET ＃引脚
终止所有运行中的进步和重置设备后，
它是那么准备一个新的操作。在RESET ＃引脚可以连接到系统复位电路。
系统复位将因此还重置设备，使主机系统读取引导固件
从闪速存储器件。
该装置降低了功耗，在
待机模式
它检测到特定的电压电平，当
在CE ＃和RESET ＃ ，或当地址是稳定为指定的时间周期。
该
写保护（ WP ＃ ）
功能通过产生一个逻辑低电平上保护第一或最后一个扇区
WP ＃ / ACC引脚或WP ＃引脚，取决于型号。受保护的行业仍然是受保护的，即使
在加速编程。
该
安全硅行业
提供了一个128字/ 256字节的区域代码或数据，可以是per-
manently保护。一旦该扇区被保护，该扇区内的任何进一步的变化可以发生。
Spansion公司的MirrorBit闪存技术，结合多年的闪存制造经验
产生的质量，可靠性和成本效益最高的水平。该装置电擦除
通过热孔一个扇区内的所有位同时协助擦除。该数据是使用编程
热电子注入。
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S29GL -M的MirrorBit
TM
快闪族
2006年S29GL - M_00_B6 10月10日，
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