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S29GL064N11TFIV20 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064N11TFIV20图片预览
型号: S29GL064N11TFIV20
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内容描述: 64兆, 32兆3.0伏只页面模式闪存设有110纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 79 页 / 3123 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S29GL -N的MirrorBit
®
快闪族
S29GL064N , S29GL032N
64兆, 32兆
3.0伏只页面模式闪存
具有110纳米的MirrorBit工艺技术
数据表
特色鲜明
架构优势
单电源工作
在110纳米的MirrorBit工艺技术制造
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久,安全识别
通过一个8字/ 16字节的随机电子序列号,
通过一个命令序列访问
- 编程并锁定在工厂或由客户
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 10 μA典型待机模式电流
封装选项
48针TSOP
56引脚TSOP
64 - ball加固BGA
48球精细间距BGA
灵活的部门架构
- 64兆(部门统一型号) :一百28 32 K字
( 64 KB )行业
- 64 MB (引导扇区型号) :一百27 32 K字
( 64 KB)行业+ 8 4Kword ( 8KB )引导扇区
- 32 MB (统一的行业模型) :六十四32Kword ( 64 KB )行业
- 32 MB (引导扇区型号) :60个32Kword ( 64 KB )行业+
8 4Kword ( 8KB )引导扇区
软件&硬件功能
软件特点
- 高级扇区保护:提供持久扇区保护和
密码扇区保护
- 程序暂停&简历:前阅读其他行业
编程操作完成
- 擦除挂起&简历:读/前一个程序中的其他部门
擦除操作完成
- 数据#轮询&触发位提供状态
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机系统
识别并适应多个闪存设备
- 解锁绕道程序命令降低整体多字
编程时间
增强VersatileI / O
控制
- 所有的输入电平(地址,控制和DQ的输入电平)和输出
通过电压V确定
IO
输入。 V
IO
范围为1.65至V
CC
与JEDEC标准兼容
- 提供单电源引脚排列和软件的兼容性
闪光灯,不慎优越的写保护
10万次擦写每个扇区的典型
20年的数据保存典型
硬件特性
- WP # / ACC输入加速编程时间(当高电压
应用)更大的系统吞吐量的生产过程中。保护
第一个或最后一个扇区,无论在均匀扇区保护设置
模特界
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )检测编程或擦除周期
竣工
性能特点
高性能
90纳秒访问时间
8字/ 16字节的页面读取缓冲区
25纳秒读取页面的时间
16字/ 32字节写入缓冲区从而降低了总体规划
时间多字的更新
公开号
S29GL-N_01
调整
09
发行日期
2007年11月16日