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S29GL128N11FAI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAI020图片预览
型号: S29GL128N11FAI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A
中文ê (E T)
如果系统断言V
HH
该引脚上时,设备会自动进入上述非
锁定旁路模式,暂时取消保护所有受保护的行业团体,并使用高
电压引脚上,以减少所需的编程操作的时间。该系统将使用
所要求的解锁旁路模式的双循环的程序命令序列。删除
V
HH
从WP # / ACC引脚器件返回到正常操作。
需要注意的是WP # / ACC
脚绝不能在V
HH
对于操作不是加速编程,或设备损坏等
可能的结果。 WP #有一个内部上拉电阻;未连接时, WP #是V
IH
.
自动选择功能
如果系统写入自选命令序列,器件进入自选
模式。然后,系统可以从内部寄存器中读出自动选择码(这是另行
在DQ7 - DQ0率从存储器阵列) 。标准读周期时序适用于这种模式。
参阅
了解更多信息。
待机模式
当系统没有读取或写入设备,它可以将器件置于备用
模式。在这种模式下,电流消耗大大减少,并且输出被放置在
高阻抗状态,独立的OE#输入的。
该器件进入CMOS待机模式时的CE#和RESET #引脚都举行
V
IO
± 0.3V。 (注意,这是一个更受限制的电压范围高于V
IH
)如果CE #和RESET #
保持在V
IH
,但不是在V
IO
± 0.3 V时,该设备处于待机模式,但待机
电流大。该设备需要接入标准时间(t
CE
)进行读访问时,
设备是在这两种待机模式,它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择,该器件消耗的有功电流
直到操作完成。
请参阅
为待机电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式,最大限度地降低闪存器件的能耗。该器件automat-
ically使得当地址保持稳定吨这种模式
+ 30纳秒。自动睡眠
模式是独立的,CE# , WE#和OE #控制信号。标准地址的访问
定时提供新数据时的地址被改变。而在睡眠模式下,输出数据
锁存并始终可用的系统。请参阅
对于
自动休眠模式电流规范。
RESET # :硬件复位引脚
在RESET #引脚提供器件复位读取阵列数据的硬件方法。
当RESET #引脚被拉低了至少一个周期T
RP
,该装置立即termi-
纳茨中的任何操作,所有三态输出引脚,并忽略所有的读/写
命令为RESET#脉冲的持续时间。该器件也复位内部状态
机读取阵列的数据。被中断应当立即被重新开始的操作
该设备已准备好接受另一个命令序列,以保证数据的完整性。
电流减小为RESET#脉冲的持续时间。当RESET #保持在V
SS
±0.3 V,
该器件消耗的CMOS待机电流(I
CC5
) 。如果RESET #保持在V
IL
但不是在
V
SS
± 0.3 V ,待机电流就越大。
在RESET #引脚可以连接到系统复位电路。因此,一个系统复位也会
重置闪存,使系统能够从闪存读出的引导固件
内存。
请参见AC特性表RESET #参数和
为时序图。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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