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S29GL128N11FAI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAI020图片预览
型号: S29GL128N11FAI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A
中文ê (E T)
挥发性扇区保护命令集
挥发性扇区保护命令集允许设置动态保护用户
位( DYB )到
保护状态,
清除动态保护位( DYB )到
无保护
状态,
和阅读动态保护位( DYB )的逻辑状态。
挥发性扇区保护命令集条目
必须发出命令序列
之前的任何以下,使正确的命令列执行的命令。
需要注意的是发出
挥发性扇区保护命令集条目
命令
禁用
读取并从主内存写入。
DYB设置命令
DYB清除命令
该DYB设置和DYB清除命令用于保护或取消保护特定部门。该
高位地址位是在同一时间作为编码00h或01H上DQ7 - DQ0发出。所有
在数据写周期其它DQ的数据总线管脚被忽略。该DYB位修改
在任何时候,无论PPB的状态位或PPB锁定位。该DYB位被清零
无保护状态
在上电或硬件复位。
DYB状态读取命令
在DYB位给定扇区的编程状态可以通过编写一个DYB桩号进行验证
土族读出命令到设备。这需要的初始接入时延。
挥发性扇区保护命令集退出
必须EX-后发出命令
前面列出的命令ecution重置设备读取模式。
需要注意的是发出
挥发性扇区保护命令集退出命令重恩
冷杉读取和写入到主存储器中。
安全硅行业进入命令
在安全硅行业进入命令允许执行以下命令
阅读来自安全硅行业
程序安全硅行业
一旦安全硅行业进入命令发出后,安全硅行业退出
命令必须发出要退出安全硅扇区模式。
安全硅行业退出命令
担保硅业退出命令可发出退出安全硅行业
模式。
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S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,