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S29GL128N11FAI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAI020图片预览
型号: S29GL128N11FAI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A
中文ê (E T)
DQ6 :切换位I
切换位我上DQ6表示是否嵌入式编程或擦除算法正在进行中
或者齐全,设备或是否已经进入擦除挂起模式。切换位我可以
可以读取任何地址,有效后的最终WE#脉冲在COM上升沿
命令顺序(先于编程或擦除操作) ,并且扇区擦除操作期间
超时。
在嵌入式编程或擦除算法操作,连续读周期的任何AD-
礼服原因DQ6切换。该系统可选择使用OE #或CE #控制的读周期。
当操作完成后, DQ6停止切换。
经过擦除命令序列写入,如果选择删除所有行业都保护,
DQ6切换为大约100微秒,然后,返回到读出阵列的数据。如果不是所有的选择
行业保护,嵌入式擦除算法擦除未受保护的行业,并会忽
NORES受保护的选定行业。
该系统可以使用DQ6和DQ2在一起以确定扇区是否被积极地擦除
或擦除暂停。当该装置正积极擦除(即,嵌入式擦除AL-
gorithm正在进行中) , DQ6切换。当设备进入擦除挂起模式时, DQ6
停止切换。然而,该系统还必须使用DQ2 ,以确定哪些扇区eras-
荷兰国际集团或擦除暂停。另外,该系统可以使用DQ7 (见关于DQ7的第:
数据#投票) 。
如果一个程序的地址属于受保护的部门, DQ6切换为后约1微秒
程序指令序列被写入,然后返回到读取阵列的数据。
DQ6又在擦除暂停程序模式切换,并停止该雇切换一次
层状程序算法完成。
显示了触发位我上DQ6的输出。
节目
切换位算法。
显示切换位时序图。
示出了以图形形式的DQ2和DQ6之间的差异。也见
在第
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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