S29GL-N
的MirrorBit ™闪存系列
S29GL512N ， S29GL256N ， S29GL128N
512兆， 256兆和128兆，
3.0伏只页面模式闪存特色
110纳米的MirrorBit ™工艺技术
数据表
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3伏读取，擦除和编程操作
增强VersatileI / O ™控制
- 所有的输入电平（地址，控制和DQ的输入电平）
和产出是由电压V确定
IO
输入。
V
IO
范围为1.65至V
CC
在110纳米的MirrorBit工艺制造
技术
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久的，安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号，通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- S29GL512N ：五百年12 64 K字（ 128
千字节）部门
- S29GL256N ：200名56 64 K字（ 128
千字节）部门
- S29GL128N ：一百28 64 K字
（ 128字节）部门
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存，以及优越的疏忽
写保护
每个部门的典型100,000次擦除周期
20年的数据保存典型
512 MB
封装选项
- 56引脚TSOP
- 64 - ball加固BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序挂起和恢复：读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起和恢复：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃投票和切换位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 高级扇区保护
- WP ＃ / ACC输入加速编程时间
（高施加电压时）更大的吞吐量
在系统的生产。保护第一个或最后一个扇区
不管扇区保护设置
- 硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置
- 就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）检测程序或
擦除周期结束
产品供货表
密度
INIT 。访问
110纳秒
100纳秒
110纳秒
256 MB
100纳秒
90纳秒
110纳秒
128 MB
100纳秒
90纳秒
V
CC
满
满
满
满
监管
满
满
监管
供货情况
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
性能特点
高性能
90 ns访问时间（ S29GL128N ， S29GL256N ）
100纳秒（ S29GL512N ）
8字/ 16字节的页面读取缓冲区
25 ns的页面读取时间
16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字的更新
低功耗（ 3.0 V典型值， 5
兆赫）
- 40 mA典型有效的读电流;
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
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公开号
S29GL-N_00
调整
B
修订
3
发行日期
2006年10月13日
SPANSION [ SPANSION ]
