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中文ê （E T）
概述
该S29GL512 / 256 / 128N系列器件是3.0V单电源闪存制造
捕获的原始图像采用110纳米MirrorBit技术。该S29GL512N是512兆比特，作为举办
33554432字或67108864个字节。该S29GL256N是256兆比特，作为举办
16777216字或33554432个字节。该S29GL128N是128兆比特，作为举办
8,388,608字或16777216个字节。该器件具有一个16位宽的数据总线，也可以
功能通过使用字节＃输入一个8位宽的数据总线。该设备可被编程
无论是在主机系统或标准EPROM编程器。
存取时间快90纳秒（ S29GL128N ， S29GL256N ） ，为100 ns （ S29GL512N ）可供选择。
请注意，每个存取时间具有特定的工作电压范围（Ⅴ
CC
）和一个I / O电压
范围（V
IO
） ，作为在指定
和
该器件采用56引脚TSOP和64 - ball加固BGA
封装。每台设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
用于读取和写入功能。
除了为V
CC
输入，高电压
加速计划（ WP ＃ / ACC ）
输入提供
通过加大电流缩短编程时间。此功能的目的是便于
工厂生产能力系统在生产过程中，但也可在该领域需要时可以使用。
这些器件完全指令集的兼容
JEDEC单电源
闪存标准。
命令使用标准微处理器写入写入器件
时序。写周期内部也锁存地址和所需的编程数据
擦除操作。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程
在不影响其他部门的数据内容。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
器件编程和擦除是通过命令序列启动。一旦一个程序
或擦除操作已经开始，主机系统只需要轮询DQ7 （数据＃查询）或DQ6
（切换）
状态位
或监控
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
输出，以确定是否
操作完成。为了方便用户进行编程，一个
解锁绕道
模式减少的COM
命令序列开销只需要两个写周期编程数据，而不是四个。
该
增强VersatileI / O ™
(V
IO
）控制允许主机系统设置的电压电平
该装置产生和容忍所有的输入电平（地址，芯片控制，和DQ输入
水平），以相同的电压电平被置位在V
IO
引脚。这使得设备
在1.8 V或3 V系统环境的要求进行操作。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制
在电源转换写入操作。
持久扇区保护
提供-系
统，扇区的任何组合的使用单电源供电的命令启用保护
在V
CC
.
密码扇区保护
防止未经授权的写入和擦除操作
扇区通过用户定义的64位密码任意组合。
该
擦除暂停/删除恢复
功能允许主机系统暂停擦除OP-
关合作在给定扇区读或写其他部门，然后完成擦除
操作。该
程序挂起/恢复计划
功能使主机系统
暂停程序运行在一个给定扇区读取任何其他部门，然后完成
程序操作。
该
硬件RESET ＃引脚
终止所有运行中的进步和重置设备，
在这之后就准备好了一个新的操作。在RESET ＃引脚可连接到系统
复位电路。系统复位将因此还重置设备，使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
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S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，
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