A D V A N权证
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概述
该S29GL512 / 256 / 128N系列器件是3.0V单电源闪存
采用110纳米MirrorBit技术制造。该S29GL512N是512兆比特，
组织为33554432字或67108864个字节。该S29GL256N是256
兆比特，组织为16777216字或33554432个字节。该S29GL128N是
128兆比特，作为组织8,388,608字或16777216个字节。该设备具有
一个16位宽的数据总线，还可以通过使用作为一个8位宽的数据总线
该BYTE ＃输入。该设备可以在主机系统或在被编程
标准EPROM编程器。
存取时间快80纳秒（ S29GL128N ， S29GL256N ）或90纳秒（ S29GL512N ）
是可用的。请注意，每个存取时间具有特定的工作电压范围内
(V
CC
）和一个I / O电压范围（Ⅴ
IO
） ，作为在指定
和
部分。这些器件在提供56-
引脚TSOP或者64 ball加固BGA封装。每个设备都有独立的芯片使能
（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
用于读取和
写功能。除了为V
CC
输入，高电压
加速计划
（ WP ＃ / ACC ）
输入通过提高电流提供了更短的编程时间
租。该功能的目的是系统中便于工厂产能
生产，但也可在该领域需要时可以使用。
这些器件完全指令集的兼容
JEDEC单
电源闪存标准。
命令使用写入设备
标准的微处理器写时序。写周期内部也锁存地址
和所需的编程数据和擦除操作。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区被擦除和重现
编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除是通过命令序列启动。
一旦编程或擦除操作开始时，主机系统只需要轮询
DQ7 （数据＃查询）或DQ6 （切换）
状态位
或监控
就绪/忙＃
（ RY / BY ＃ ）
输出，以确定操作是否已经完成。为了方便
节目中，
解锁绕道
模式减少指令序列的开销
通过要求只有两个写周期编程数据，而不是四个。
该
增强VersatileI / O ™
(V
IO
）控制允许主机系统设置
电压等级的设备生成并容许所有的输入电平（地址，
芯片控制，和DQ的输入电平），以相同的电压电平被置上
在V
IO
引脚。这使该器件能够在1.8 V或3 V系统运行环境
按要求换货。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器automat-
ically在电源转换禁止写操作。
持久性行业
保护
提供系统，指挥功能保护任意组合的
用在V单电源供电部门化
CC
.
密码扇区保护
防止未经授权的写入和部门的任意组合擦除操作
通过用户定义的64位的密码。
该
擦除暂停/删除恢复
功能允许主机系统暂停
擦除操作中的一个给定扇区中读取或编程的任何其他扇区，然后
完成擦除操作。该
程序挂起/恢复计划
为特色的
TURE使主机系统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作
阅读任何其他部门，然后完成程序操作。
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S29GLxxxN MirrorBitTM闪存系列
27631A4 2004年5月13日
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