A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
AC特性
备用CE ＃控制的擦除和编程操作， S29GL128N只有
参数
JEDEC
t
AVAV
t
AVWL
t
ELAX
t
DVEH
t
EHDX
t
GHEL
t
WLEL
t
EHWH
t
ELEH
t
EHEL
标准。
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
GHEL
t
WS
t
WH
t
CP
t
CPH
描述
写周期时间（注1 ）
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
阅读恢复时间之前写
（ OE ＃高到我们＃低）
WE＃建立时间
WE＃保持时间
CE＃脉冲宽度
CE＃脉冲宽高
写缓冲器程序操作（注2 ，
3)
有效的写缓冲器
程序运行（注
2, 4)
t
WHWH1
t
WHWH1
有效的加速写入
缓冲器程序操作
（注2,4）
程序运行（注2 ）
加快编程
操作（注2）
t
WHWH2
t
WHWH2
扇区擦除操作（注2 ）
注意事项：
1.不100 ％测试。
2.有关详细信息，请参阅“ AC特性”一节。
3.对于1-16字/编程1-32字节。
4.有效的写缓冲器规范是基于一个16字/ 32字节的写缓冲区的操作。
5.除非另有说明， AC规格为80 ns到90 ns的速度选择与V测试
IO
= V
CC
= 3 V AC
规格为90纳秒到100纳秒的速度选择与V测试
IO
= 1.8 V和V
CC
= 3.0 V.
速度选项
80
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
典型值
80
90
90
0
45
45
0
0
0
0
45
30
240
90
90
100
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
每字
典型值
15
µs
每字
字
字
典型值
典型值
典型值
典型值
13.5
60
54
1.0
µs
µs
µs
美国证券交易委员会
102
S29GLxxxN MirrorBitTM闪存系列
27631A4 2004年5月13日
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