A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
这是断言在V电平
IO
。请查看订购信息V
IO
这个选项
装置。
例如，为V
I / O
的1.65-3.6伏允许I / O在1.8 〜3伏的水平，
驱动并在相同的接收信号，并从其它1.8或3 V器件
数据总线。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须驱动CE＃和OE ＃
引脚V
IL
。 CE＃为功率控制和选择器件。 OE＃为输出
控制与门阵列的数据到输出引脚。 WE＃应保持在V
IH
.
内部状态机设置为在器件上电时读取阵列数据，
或一个硬件复位之后。这确保了存储器的无杂散变更
电源转换过程中出现的内容。无命令是必要的，这
模式，以获得阵列的数据。标准的微处理器读周期的断言有效
器件地址输入地址产生对设备数据的有效数据
输出。该器件保持启用，直到命令寄存器的读访问
内容也被改变。
见“读阵列数据”的详细信息。参见AC只读OP-
操作表中的时序规范和图11的时序图。
请参考直流特性表上的读数有功电流规格
荷兰国际集团阵列的数据。
页面模式读取
该装置能够读取快速页模式，并且与页兼容
模式掩膜ROM读取操作。此模式提供更快的读取访问速度
一个页内的任意位置。该装置的页大小是8个字/ 16字节。
相应页面选择高位地址A（最大值） -A3 。地址
位A2 - A0字模式（ A2 -A - 1字节模式）确定具体的词
内的页面。这是一个异步操作;微处理器用品
具体的字位置。
随机或初始页面访问等于t
加
或T
CE
而随后的页面
读访问（只要指定由微处理器瀑布的位置
该网页）内相当于吨
PACC
。当CE＃撤除，并重申
用于随后的访问中，访问时间为t
加
或T
CE
。快速页模式访问
通过保持“阅读页面地址”不变，改变得到
“内阅读页面”地址。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（包括编程数据
到设备和擦除的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
该器件具有一个
解锁绕道
模式，以方便更快速的编程。
一旦设备进入解锁旁路模式，只有两个写周期是重新
引入来编程，而不是四个字或字节。该“字/字节编程
命令序列“部分对编程数据的详细信息到设备
使用标准和解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个扇区或整个设备。
表2表示每个扇区占用的地址空间。
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S29GLxxxN MirrorBitTM闪存系列
27631A4 2004年5月13日
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